Pasirinkite savo šalį ar regioną.

Close
Prisijungti Registruotis El. Paštas:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

ON prideda SiC MOSFET

„ON Semiconductor“ pristatė du „SiC MOSFET“, skirtus EVS, saulės ir UPS programoms.

Pramonės klasės NTHL080N120SC1 ir AEC-Q101 automobilių klasės NVHL080N120SC1 papildo  SiC diodai ir SiC vairuotojai, prietaisų modeliavimo įrankiai, SPICE modeliai ir taikymo informacija.

„ON“ 1200 voltų (V), 80 milijonų (mΩ), SiC MOSFETs srovė yra maža nuotėkio srovė, greitas vidinis diodas su mažu atvirkštinio išieškojimo įkrovimu, kuris suteikia staigų energijos nuostolių mažinimą ir palaiko didesnį dažnio veikimą bei didesnį galios tankį ir žemą „Eon“ ir išjungimas / greitas įjungimas ir išjungimas kartu su maža priekine įtampa, siekiant sumažinti bendrą galios nuostolį ir dėl to aušinimo reikalavimus.


Mažas įrenginio talpumas palaiko galimybę persijungti labai aukštais dažniais, o tai mažina nerimą keliančius EMI klausimus; tuo tarpu didesnis padidėjimas, lavinų gebėjimas ir tvirtumas nuo trumpojo jungimo padidina bendrą tvirtumą, užtikrina didesnį patikimumą ir ilgesnę gyvenimo trukmę.

„SICC MOSFET“ prietaisų dar vienas privalumas yra galinė konstrukcija, kuri padidina patikimumą ir patikimumą bei padidina eksploatavimo stabilumą.

NVHL080N120SC1 buvo sukurtas taip, kad atlaikytų dideles srovės sroves ir siūlo aukštą lavinų gebėjimą ir tvirtumą nuo trumpojo jungimo.

„MOSFET“ ir kitų SiC įrenginių AEC-Q101 kvalifikacija užtikrina, kad jie gali būti visapusiškai panaudoti vis didėjančioje transporto priemonėje naudojamų taikomųjų programų, atsirandančių didėjant elektroniniam turiniui ir elektrifikavimui, skaičiumi.

Maksimali 175 ° C darbinė temperatūra padidina tinkamumą naudoti automobilių dizaino reikmėms, taip pat kitoms taikomosioms programoms, kai didelio tankio ir erdvės apribojimai didina tipišką aplinkos temperatūrą.