Pasirinkite savo šalį ar regioną.

Close
Prisijungti Registruotis El. Paštas:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

APEC: SiC galia ir patobulinti debesų pagrindu veikiantys įrankiai

Paieškos galimybės buvo patobulintos ir yra karuselinio stiliaus meniu, leidžiantis pasirinkti suderinamus prietaisus ir plokštes, sakė įmonė: „Inžinieriai gali susiaurinti gyvybingas komponentų ir sistemų sprendimų galimybes ir būti tikri, kad sistemos veikimas prieš įsipareigojant įsigyjant techninę įrangą ir užbaigiant jų dizainą. “

APEC demonstracijose yra silicio karbido (SiC) 11kW 100kHz trifazis pilnas tiltas PFC (galios koeficiento korekcija), pastatytas aplink On's NVHL080N120SC1 SiC MOSFET (1 200V,> 30A, ~ 80mΩ, TO247) ir NCP51705 vartų vairuotoją. įkrovimo siurblys sukuria neigiamą šališkumą, įtraukiant SiC MOSFET išjungimą.

OnSemi-eFusePusiau eFuse

Taip pat bus rodomas „eFuse“, „protingas pasyvus jutiklis“ pramoniniam automatizavimui, didelio tankio USB-PD (galios tiekimo) sprendimas, aktyvaus gnybto „flyback“ grandinė ir variklio vairuotojo maitinimo moduliai.

Siekiant reklamuoti „Strata“, bus pristatytas ambicingai „Popieriaus dizainerio pageidavimų sąrašo tenkinimas su visomis teisingomis priemonėmis tik vienu įrankių rinkiniu“ dokumentas.Kovo 19 d. 13:30 Kambarys 303AB).

Kitas pristatymas: „Sėkmingumas, patikimumas ir našumas atsižvelgiant į naujausius SiC diodų ir„ MOSFET “technologijas perpylimo metu“ (kovo 20 d., Trečiadienis, patikrinkite vietą)